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Littelfuse präsentiert neue SiC Dioden

 

Die neuen Littelfuse LSIC2SD170Bxx 1700 V Siliziumkarbid (SiC) Dioden sind mit den Nennströmen 10 A, 25 A und 50 A im TO-247-2L Gehäuse erhältlich. Sie haben eine vernachlässigbare Reverse Recovery Energy, welche Schaltverluste reduziert. Ebenso verfügen diese über eine hohe Impulsstrombelastbarkeit, einen positiven Temperaturkoeffizient der Vorwärtsspannung und eine maximale Operating Junction Temperatur  von 175°C. Diese Serie ist somit ideal für Anwendungen, bei denen Effizienzsteigerung, Zuverlässigkeit beim Parallelschalten der Dioden und ein vereinfachtes Wärmemanagement erforderlich sind.

Wesentliche Merkmale
▪ Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Vf
▪ Maximale Betriebstemperatur von 175°C der Sperrschicht
▪ Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schalten
▪ Nahezu null Sperrstrom
▪ Surge-Fähigkeit: 72A ≤ IFSM ≤ 280A
▪ Wärmewiderstand: 0,23K/W ≤ RthJC ≤ 0,85K/W

Märkte und Anwendungen
▪ Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen
▪ Schaltnetzteile
▪ Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
▪ Solarwechselrichter
▪ Industrielle Motorantriebe
▪ Ladestationen für Elektrofahrzeuge

 

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LSIC2SD170B10
LSIC2SD170B25
LSIC2SD170B50

 

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