Ein leistungsstarker SiC-MOSFET auf Halbbrückentopologie integriert in einem SMPD-Housing mit 1200V, 160mΩ, 19,5A. Das diskrete, isolierte Package trägt zur Vereinfachung Ihres Wärmemanagements bei, indem es die Anzahl der übrigen diskreten Leistungskomponenten reduziert, die durch das Verwnden dieses Bauteils nicht mehr erforderlich sind. Die DCB-basierte isoliert Package reduziert den thermischen Widerstand zwischen Verbindungsstelle und Kühlkörper und verbessert die Verlustleistungsfähigkeit im Vergleich zu nicht isolierten diskreten Bauteilen. Dieser SiC-Power MOSFET ist ideal für den Einsatz in hochfrequenten Schaltungen, wie beispielsweise einem Schaltnetzteil oder einem Solar-Wechselrichter.
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